SiC基中子探测器对热中子的响应

• 作者: 刘波 吴健 李勐 白立新 范晓强 荣茹 蒋勇 邹德慧 陈雨
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: SiC二极管 α粒子探测 中子探测 半导体探测器
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 2711-2716
• 页数: 6页
• 分类号: TL81
• 字数: 2563字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132510.2711

摘要

以SiC二极管和中子转换材料6LiF为基础,研制了SiC基中子探测器,并用241Am源与临界装置分别研究了SiC基中子探测器的α粒子响应、热中子响应.结果表明:SiC基中子探测器能够满足241Am源α粒子的计数测量,但由于SiC二极管灵敏区薄,故不能用于5.48 MeV的α粒子能谱测量；SiC基中子探测器对 热中子响应良好,不同功率下,脉冲幅度谱中可清晰看到由6Li(n,α)3H的反应产物α粒子、3H粒子形成的双峰；脉冲幅度甄别法可将γ射线及电子学噪声甄别掉；在直接测量与符合测量中,SiC基中子探测器的计数率均与临界装置功率成线性关系,且直接测量的线性度比符合测量的线性度好,最好可达0.999 97.研究表明:降低肖特基接触金属的厚度、增加其外延层厚度、提高其外延层品质,可将SiC二极管用于带电粒子能谱测量.