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摘要:
采用自主开发的二维半导体器件效应模拟软件,对电磁脉冲作用下PIN二极管的响应进行了数值模拟研究,分析了PIN管在脉冲电压上升沿时间内出现的电流过冲现象.结果表明:过冲电流与高频下PIN二极管的电容性有关,过冲电流的峰值与上升沿时间有关,上升沿时间越短,峰值越大;PIN管的掺杂也会对过冲电流产生影响,P层、N层的掺杂浓度越高,过冲电流的峰值越大,过冲电流的波形下降越快;Ⅰ层掺杂浓度对过冲电流也有一定影响,但并不显著.
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文献信息
篇名 电磁脉冲作用下PIN二极管的响应
来源期刊 强激光与粒子束 学科 物理学
关键词 电磁脉冲 PIN二极管 过冲电流 限幅器
年,卷(期) 2013,(8) 所属期刊栏目 高功率微波
研究方向 页码范围 2061-2066
页数 6页 分类号 O441.4
字数 3824字 语种 中文
DOI 10.3788/HPLPB20132508.2061
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王建国 123 908 14.0 23.0
3 谢海燕 10 58 3.0 7.0
6 李勇 12 49 3.0 6.0
7 宣春 9 77 3.0 8.0
8 夏洪富 8 58 3.0 7.0
传播情况
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引文网络
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PIN二极管
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限幅器
研究起点
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期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
出版文献量(篇)
9833
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7
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61664
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