进电端放电法对单晶硅电火花加工接触电阻的影响研究

• 作者: 刘志东 宋佳杰 田宗军 邱明波
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: 电火花加工 硅 接触势垒 接触电阻
• 年，卷（期）: 2013,（13）
• 所属期刊栏目: 科学基金
• 页码范围: 1796-1799
• 页数: 4页
• 分类号: TG661|O471.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-132X.2013.13.018

摘要

为改善高电阻率硅的电火花线切割可加工性,提出了一种在半导体电镀金属薄膜表面放电的方法(简称进电端放电法).首先在硅(电阻率为2.1Ω·cm)表面电镀一层铜膜,然后利用铜刷作电极,在铜膜表面进行放电,利用放电形成的高温在硅表面形成重掺杂层,以降低接触势垒.分析了表面重掺杂层的形成机理,制备了硅试件并得到了伏安曲线,结果表明,试件的进电端接触电阻明显减小.最后采用进电端放电法对电阻率为2.1Ω·cm、直径为100mm的硅锭进行电火花线切割试验,加工效率可由12mm2/min提高至30mm2/min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田宗军		220	2027	21.0	32.0
2	刘志东		229	1912	22.0	29.0
3	邱明波		78	554	13.0	20.0
4	宋佳杰		1	3	1.0	1.0