金属Pt薄膜上二氧化钒的制备及其电致相变性能研究

• 作者: 岐业 张怀武 杨青慧 荆玉兰 邱东鸿 陈智
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 二氧化钒薄膜 相变特性 电致相变 阈值电压
• 年，卷（期）: 2013,（21）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 325-331
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.217201

摘要

通过引入SiO2氧化物缓冲层，在金属Pt电极上利用射频磁控溅射技术成功制备出高质量的VO2薄膜.详细研究了SiO2厚度对VO2薄膜的晶体结构、微观形貌和绝缘体-金属相变(MIT)性能的影响.结果表明厚度0.2μm以上的SiO2缓冲层能够有效消除VO2薄膜与金属薄膜之间的巨大应力，制备出具有明显相变特性的VO2薄膜.当缓冲层达到0.7μm以上，获得的薄膜具有明显的(011)晶面择优取向，表面平整致密，相变前后电阻率变化达到3个数量级以上.基于该技术制备了Pt-SiO2/VO2-Au三明治结构，通过在垂直膜面方向施加很小的驱动电压，观察到明显的阶梯电流跳跃，证实实现了电致绝缘体-金属相变过程.该薄膜制备工艺简单，性能稳定，器件结构灵活可应用于集成式电控功能器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张怀武	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	294	2211	20.0	32.0
2	杨青慧	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	167	7.0	11.0
3	荆玉兰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	26	167	9.0	11.0
4	陈智	电子科技大学战术抗干扰技术国家重点实验室	25	260	9.0	15.0
5	邱东鸿	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	7	1.0	1.0
6	岐业	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	47	4.0	5.0