篇名 | Ultra-low specific on-resistance vertical double-diffused metal-oxide semiconductor with a high-k dielectric-filled extended trench | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | high permittivity specific on-resistance breakdown voltage trench gate | ||
年,卷(期) | 2013,(2) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 439-444 | |
页数 | 6页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 英文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/22/2/027305 |