厚膜银导体银离子迁移的试验设计要点分析

• 作者: 廉大桢 王社教
• 来源期刊: 企业技术开发（下半月）
• 学科: 工学
• 关键词: 厚膜银导体 银离子迁移 设计要点
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 能源化工
• 页码范围: 179-180
• 页数: 2页
• 分类号: TQ153.16
• 字数: 2083字
• 语种: 中文

摘要

文章对厚膜银导体银离子迁移试验的基本考核条件和试验方法进行了系统分析,由试验结果可知,在直流电场660 V/mm的强度下,经过介质材料和基片材料的更换,能够对银离子的迁移现象产生一定的抑制作用,实现电路可靠性的逐步提高,在具体的厚膜混合电路中,银离子迁移主要是表面界面现象的一种体现,且会直接受到材料表面界面性能等因素的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王社教		6	1	1.0	1.0
2	廉大桢		4	1	1.0	1.0