电子元器件银离子迁移评价方法的探究

• 作者: 鲍建科
• 来源期刊: 家电科技
• 关键词: 银离子迁移 加速试验 故障解析 再发防止
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 84-87,90
• 页数: 5页
• 字数: 4685字
• 语种: 中文

摘要

随着电子设备变得更小、更轻、更先进,使用环境更加恶劣,发生银离子迁移的几率也比以往更大.本文在详细介绍银离子迁移现象、机理的同时,全面分析了影响银离子迁移的各类因素,得出评价银离子迁移切实可行的加速试验方法和时间公式,有效地缩短了评价时间.根据经验总结了故障解析的流程以及银离子迁移的发生条件,提出了在银离子迁移过程的每一个步骤中采取措施的策略,防止迁移的再发生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲍建科		5	5	1.0	2.0