退火工艺对LaTiON和HfLaON存储层金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅存储器特性的影响

• 作者: 刘璐 徐静平* 朱剑云 李育强
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅存储器 LaTiON HfLaON 退火
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 451-456
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.038501

摘要

采用反应溅射法,分别制备以LaTiON, HfLaON为存储层的金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅电容存储器,研究了淀积后退火气氛(N2, NH3)对其存储性能的影响.分析测试表明,退火前LaTiON样品比HfLaON样品具有更好的电荷保持特性,但后者具有更大的存储窗口(编程/擦除电压为+/?12 V时4.8 V);对于退火样品,由于NH3的氮化作用, NH3退火样品比N2退火样品表现出更快的编程/擦除速度、更好的电荷保持特性和疲劳特性.当编程/擦除电压为+/?12 V时, NH3退火HfLaON样品的存储窗口为3.8 V,且比NH3退火LaTiON样品具有更好的电荷保持特性和疲劳特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘璐	华中科技大学光学与电子信息学院	33	220	8.0	14.0
2	朱剑云	华中科技大学光学与电子信息学院	2	5	2.0	2.0
3	李育强	华中科技大学光学与电子信息学院	2	5	2.0	2.0
4	徐静平*	华中科技大学光学与电子信息学院	1	3	1.0	1.0