硅量子点的形状及其弯曲表面效应

• 作者: 刘世荣 周年杰 尹君 秦朝建? 苏琴 苗信建 陈汉琼 黄伟其? 黄忠梅
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 硅量子点 弯曲表面效应 表面键合 局域能级
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 页码范围: 084205-1-084205-6
• 分类号: 42.55.?f|68.65.Hb|78.45.+h|78.55.Mb
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.084205

摘要

硅量子点的弯曲表面引起系统的对称性破缺,致使某些表面键合在能带的带隙中形成局域电子态.计算结果表明:硅量子点的表面曲率不同形成的表面键合结合能和电子态分布明显不同.例如, Si—O—Si桥键在曲率较大的表面键合能够在带隙中形成局域能级,而在硅量子点曲率较小的近平台表面上键合不会形成任何局域态,但此时的键合结合能较低.用弯曲表面效应(CS)可以解释较小硅量子点的光致荧光光谱的红移现象. CS效应揭示了纳米物理中又一奇妙的特性.实验证实, CS效应在带隙中形成的局域能级可以激活硅量子点发光.