纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光

• 作者: 刘世荣 周年杰 尹君 秦朝建 苗信建 黄伟其 黄忠梅
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 纳米硅结构 弯曲表面效应 局域态 特征线
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
• 页码范围: 034201-1-034201-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.034201

摘要

纳米硅结构使能带的带隙展宽,并形成准直接能带带隙结构.弯曲表面上的某些键合可以在带隙中产生局域电子态,计算表明：纳米硅弯曲表面上的Si-N, Si=O和Si-O-Si键合能够分别在带隙中2.02 eV,1.78 eV和2.03 eV附近形成局域态子带,对应了实验光致荧光谱(PL)中605 nm处的LN线、693 nm处的LO1线和604 nm处的LO2线特征发光.特别是, Si-Yb键合在纳米硅弯曲表面上可以将发光波长调控到光通信窗口,在1310 nm到1600 nm范围形成LYb线特征发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄伟其	贵州大学纳米光子物理研究所	40	77	5.0	6.0
2	刘世荣	中国科学院地球化学矿床化学研究所国家重点实验室	38	338	10.0	17.0
3	尹君	贵州大学纳米光子物理研究所	5	6	1.0	1.0
4	黄忠梅	贵州大学纳米光子物理研究所	8	6	1.0	1.0
5	苗信建	贵州大学纳米光子物理研究所	5	6	1.0	1.0
6	秦朝建	中国科学院地球化学矿床化学研究所国家重点实验室	30	225	8.0	14.0
7	周年杰	贵州大学纳米光子物理研究所	3	4	1.0	1.0