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摘要:
采用反应离子体刻蚀机结合CHF3+SF6+O2混合气体[1,2]刻蚀二氧化硅的工艺研究,并且采用正交试验方法[3]调整刻蚀参数,得出影响刻蚀倾角的主要因素是CHF3和SF6。适当增加CHF3流量有助于形成陡直的刻蚀倾角;适当增加SF6流量并减小CHF3流量有助于形成平缓的刻蚀倾角。通过对实验参数进行整体优化处理,最终实现了垂直、平缓的刻蚀倾角。为采用二氧化硅作为刻蚀掩膜以及终端结构提供了帮助。
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文献信息
篇名 二氧化硅干法刻蚀倾角控制的工艺研究
来源期刊 电子世界 学科
关键词 二氧化硅 干法刻蚀 刻蚀倾角
年,卷(期) 2013,(24) 所属期刊栏目 学术交流
研究方向 页码范围 239-240
页数 2页 分类号
字数 563字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张昭 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所 1 3 1.0 1.0
5 杨兵 20 30 3.0 4.0
6 陆敏 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所 1 3 1.0 1.0
7 田亮 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所 2 3 1.0 1.0
8 杨霏 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所 10 18 3.0 4.0
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二氧化硅
干法刻蚀
刻蚀倾角
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研究来源
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引文网络交叉学科
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电子世界
半月刊
1003-0522
11-2086/TN
大16开
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2-892
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