二氧化硅干法刻蚀倾角控制的工艺研究

• 作者: 张昭 杨兵 杨霏 田亮 陆敏
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: 二氧化硅 干法刻蚀 刻蚀倾角
• 年，卷（期）: 2013,（24）
• 所属期刊栏目: 学术交流
• 页码范围: 239-240
• 页数: 2页
• 字数: 563字
• 语种: 中文

摘要

采用反应离子体刻蚀机结合CHF3+SF6+O2混合气体[1,2]刻蚀二氧化硅的工艺研究，并且采用正交试验方法[3]调整刻蚀参数，得出影响刻蚀倾角的主要因素是CHF3和SF6。适当增加CHF3流量有助于形成陡直的刻蚀倾角；适当增加SF6流量并减小CHF3流量有助于形成平缓的刻蚀倾角。通过对实验参数进行整体优化处理，最终实现了垂直、平缓的刻蚀倾角。为采用二氧化硅作为刻蚀掩膜以及终端结构提供了帮助。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张昭	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	1	3	1.0	1.0
5	杨兵		20	30	3.0	4.0
6	陆敏	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	1	3	1.0	1.0
7	田亮	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	2	3	1.0	1.0
8	杨霏	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	10	18	3.0	4.0