p轨道占位库仑排斥对Mg₂Sn电学性质的影响

• 作者: 刘光华 孔龙娟 张钰 强凌
• 来源期刊: 凝聚态物理学进展
• 学科: 化学
• 关键词: GGA + U 占位库仑排斥 电学性质
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 39-45
• 页数: 7页
• 分类号: O64

摘要

利用基于密度泛函理论的广义梯度近似方法计算了Mg2Sn的能带结构、能态密度、差分电荷密度和介电函数。为了考虑Sn中5p轨道的强电子关联效应,我们采用GGA + U的方法计算Mg2Sn的电学性质。当有效U值为0 eV时,Mg2Sn带隙为负,与实验值相差较大。当有效U值为1.88eV时,间接带隙为0.30 eV,与实验值吻合较好。差分电荷密度的计算表明Mg2Sn中Sn-Sn键相对于Sn-Mg键有着较强的共价性,符合实际情况,介电函数的计算结果也与实验结果基本一致。这些证实p轨道占位库仑排斥对Mg2Sn的电学性质有着较大的影响。