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摘要:
利用简单的热蒸发CdS粉末方法,可合成出高质量的CdS微米柱.通过调控Si衬底上Au膜的厚度,能够大面积合成出尺寸均一的CdS纳米带和纳米棒.系统地研究了所合成样品的相、微结构和光致发光特性.室温下样品的发光结果表明可在所合成CdS微米柱上观察到位于约512 nm对应于其带隙的强发光峰.与CdS微米柱不同的是,可在所合成的CdS纳米带和纳米棒样品上分别观测到位于约521和543 nm,528和550 nm处对应于带边附近的发射强峰.并且,所合成的CdS纳米带和纳米棒展现出位于约710和712 nm位置处的宽峰,该峰的出现与结构缺陷、离子缺陷或杂质有关.与CdS纳米带的发光性能相比,所合成的CdS纳米棒表现出增强的发光性能.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 形貌可控的CdS微米/纳米结构的表征和发光性能
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 CdS纳米带 CdS纳米棒 CdS微米柱 热蒸发 发光性能
年,卷(期) 2014,(9) 所属期刊栏目 材料与结构
研究方向 页码范围 560-564
页数 分类号 TB383
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2014.09.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邓朝勇 贵州大学贵州省电子功能复合材料特色重点实验室 62 194 9.0 12.0
2 祁小四 贵州大学贵州省电子功能复合材料特色重点实验室 11 21 4.0 4.0
6 刘洪超 贵州大学贵州省电子功能复合材料特色重点实验室 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
CdS纳米带
CdS纳米棒
CdS微米柱
热蒸发
发光性能
研究起点
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微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
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