SiO2/CeO2复合磨粒的制备及在蓝宝石晶片抛光中的应用

• 作者: 储向峰 张王兵 熊伟 白林山 董永平
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 蓝宝石晶片 化学机械抛光 表面粗糙度 SiO2/GeO2 复合磨料
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 微纳技术与精密机械
• 页码范围: 1289-1295
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3391字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20142205.1289

摘要

采用均相沉淀法制备了SiO2/CeO2复合磨料,并利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)等对样品的相组成和形貌进行了表征.将所制备的SiO2/CeO2复合磨料用于蓝宝石晶片的化学机械抛光,利用原子力显微镜检测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度.结果表明:所制备的SiO2/CeO2复合磨粒呈球形,粒径在40-50 nm;在相同条件下,经过复合磨料抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度为0.32 nm,材料去除速率为16.4 nm/min,而SiO2抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度为0.92 nm,材料去除速率为20.1 nm/min.实验显示,复合磨料的材料去除速率略低于单一SiO2磨料,但它获得了较好的表面质量,基本满足蓝宝石作发光二极管(LED)衬底的工艺要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	储向峰	安徽工业大学化学与化工学院	59	209	6.0	11.0
2	董永平	安徽工业大学化学与化工学院	45	183	7.0	11.0
3	张王兵	安徽工业大学化学与化工学院	23	112	6.0	9.0
4	白林山	安徽工业大学化学与化工学院	60	293	10.0	14.0
5	熊伟	安徽工业大学化学与化工学院	5	67	4.0	5.0