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摘要:
以硅溶胶为原料,通过化学沉淀法对硅溶胶进行铈锆改性,制备出抛光用单分散的CeO2/ZrO2硅溶胶复合磨料.考察了不同铈锆掺杂量的CeO2/ZrO2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片抛光性能的影响,研究了CeO2/ZrO2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片的抛光机理.通过透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)-能谱仪(EDS)、X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)对样品的组成、形貌等进行表征.以所制备的复合磨料对蓝宝石晶片进行抛光,利用原子力显微镜(AFM)检测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度.结果表明:CeO2/ZrO2硅溶胶复合磨料中最佳的铈锆掺杂量为:铈掺杂量为1.5wt%,锆掺杂量为1.0wt%,材料去除速率可以达到36.1 nm/min,表面粗糙度可以达到0.512 nm,而相同条件下纯硅溶胶抛光后的蓝宝石表面粗糙度为1.59 nm,材料去除速率为18.4 nm/min,该复合磨料表现出较好的抛光性能.
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文献信息
篇名 CeO2/ZrO2硅溶胶复合磨料的制备及其对蓝宝石抛光性能的影响
来源期刊 硅酸盐通报 学科 工学
关键词 CeO2/ZrO2硅溶胶 复合磨料 化学沉淀法 蓝宝石抛光 单分散
年,卷(期) 2018,(9) 所属期刊栏目 试验与技术
研究方向 页码范围 3021-3027
页数 7页 分类号 TQ127
字数 5116字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 于少明 合肥工业大学化学与化工学院 100 973 20.0 26.0
2 张雷 合肥工业大学化学与化工学院 60 618 16.0 23.0
3 王海倩 合肥工业大学化学与化工学院 3 0 0.0 0.0
4 所世兴 2 0 0.0 0.0
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80-774
1980
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