篇名 | Epitaxial growth of Ge1-xSnx films with x up to 0.14 grown on Ge (001) at low temperature | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | GeSn films high resolution X-ray diffraction fully-strained Raman measurements | ||
年,卷(期) | 2014,(8) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 591-594 | |
页数 | 4页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/23/8/088112 |