一种纳秒前沿的负高压脉冲产生电路

• 作者: 刘进元 张东方 赵鑫
• 来源期刊: 深圳大学学报（理工版）
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲功率技术 Marx发生器 电子开关 功率MOSFET 负高压脉冲 纳秒级前沿
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 光电工程
• 页码范围: 30-34
• 页数: 5页
• 分类号: TM89
• 字数: 1870字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1249.2014.01030

摘要

Marx发生器是一种广泛应用的高压脉冲电源,由高储能密度、低电感的电容器和电子开关组成,利用电容充放电方式产生高压脉冲.本研究通过分析经典Marx发生器的充放电特性,提出一种基于功率金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)的负高压电路设计方法.测试结果表明,该电路在所加直流电压为1 500 V时,能够产生幅度为2倍于直流供电电压,下降沿小于10 ns的负高压脉冲.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘进元	深圳大学光电工程学院	19	34	3.0	5.0
2	赵鑫	西安交通大学电气工程学院	3	10	2.0	3.0
6	张东方	深圳大学光电工程学院	1	3	1.0	1.0