基于SiC MOSFET户用光伏逆变器的效率分析

• 作者: 习江北 徐德鸿 胡光铖 陈敏 陈烨楠
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光伏逆变器 SiC MOSFET 全桥逆变器
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 专辑文章
• 页码范围: 53-58,92
• 页数: 7页
• 分类号: TM464
• 字数: 2595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2014.6.53

摘要

户用型光伏逆变器的发展趋势是高频化、高效率、高功率密度,近年来,SiC MOSFET在电机驱动、光伏逆变器等场合得到了广泛研究.本文将SiC MOSFET应用于1.6 kW两级式先伏逆变器中,提高逆变器的开关频率,对前后两级独立进行了效率分析.在前级Boost中,比较了20～100 kHz开关频率下,SiC MOSFET和SiMOSFET对Boost效率的影响;在后级逆变器中,比较了100 kHz SiC MOSFET逆变器与20 kHz Si MOSFET H6逆变器的效率.搭建了1.6 kW两级式光伏逆变器实验模型,采用SiC MOSFET,并在逆变器实验模型上对分析结果进行了实验验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐德鸿	浙江大学电气工程学院	170	3009	31.0	50.0
2	陈敏	浙江大学电气工程学院	172	2158	24.0	40.0
3	陈烨楠	浙江大学电气工程学院	4	29	2.0	4.0
4	胡光铖	浙江大学电气工程学院	1	25	1.0	1.0
5	习江北	浙江大学电气工程学院	2	25	1.0	2.0