一种平行背栅极碳纳米管阵列的场增强因子计算

• 作者: 孟根其其格 梁静秋 王维彪 雷达
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 化学
• 关键词: 平行背栅极 碳纳米管阵列 场增强因子 悬浮球
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 224-231
• 页数: 8页
• 分类号: O642.4
• 字数: 5195字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143502.0224

摘要

建立一种平行背栅极碳纳米管阵列阴极,基于电场叠加原理,利用镜像电荷法对其进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场增强因子.在此基础上,进一步分析器件各类参数对电场增强因子的影响.分析表明,碳纳米管阵列阴极具有最佳阵列密度,其对应碳纳米管间距大约为碳纳米管高度的两倍,靠阴极阵列边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大.除了碳纳米管的长径比之外,栅极宽度、栅极厚度和栅极间距等也对电场增强因子有一定的影响:栅极越宽,场增强因子越大;而栅极厚度、栅极间距越大,场增强因子就越小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟根其其格	内蒙古大学鄂尔多斯学院	16	37	4.0	5.0
2	梁静秋	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	66	389	11.0	17.0
3	雷达	内蒙古大学鄂尔多斯学院	8	17	3.0	4.0
4	王维彪	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	29	91	6.0	7.0