铜基石墨烯的CVD法制备工艺参数研究

• 作者: 冯伟 张建华 杨连乔 王浪
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 CVD生长 铜 碳源浓度 热板法
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 电子与信息工程
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13245/j.hust.141002

摘要

采用乙炔作为碳源，分析了碳源浓度、生长时间等参数对铜基石墨烯成核密度、生长速率及单层覆盖率的影响，通过热氧化法系统展示了石墨烯形核、长大、生长结束的全过程．研究发现；碳源浓度较小时成核密度较低，所得石墨烯晶粒更大，但单个多层点的面积较大，且多以双层为主；在石墨烯生长过程中，氢气既可辅助碳氢化合物分解，同时也会刻蚀部分成核点，从而促进石墨烯质量的提高；基于单层率与晶粒尺寸之间的平衡，采用乙炔与氢氩混合气（体积比为1∶9）流速比为5∶100作为生长石墨烯的气体工艺参数，获得了透过率约为97．1％，缺陷较少且以单层为主的大面积石墨烯．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯伟	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	50	545	14.0	21.0
2	张建华	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	106	709	13.0	21.0
3	杨连乔	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	11	62	5.0	7.0
4	王浪	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	3	10	2.0	3.0