InGaN/GaN多量子阱太阳电池的研制及特性研究

• 作者: 余健 应磊莹 张保平 张江勇 王宇
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN/GaN多量子阱 极化效应 拐点 太阳电池
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 206-210
• 分类号: TN914.4
• 语种: 中文

摘要

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱外延结构,高分辨率X射线衍射测量结果显示,量子阱结构界面清晰,周期重复性很好,InGaN阱层的In组分约为0.2.利用该外延结构制备的InGaN/GaN多量子阱太阳电池的开路电压为2.16V,转换效率达到了0.64％.器件的Ⅰ-V测量结果显示,在光照条件下,曲线的正向区域存在一明显的“拐点”.随着聚光度的减小,Ⅰ-V曲线的“拐点”逐渐向高电压区域移动,同时器件的开路电压也随之急剧下降.通过与理论计算对比,发现器件开路电压的下降幅度明显大于理论计算值.进一步分析表明,InGaN量子阱的极化效应不仅是Ⅰ-V曲线产生拐点以及器件开路电压下降过快的主要原因,也是影响氮化物太阳电池性能的关键因素之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宇	厦门大学物理系	43	131	8.0	10.0
2	张保平	厦门大学物理系	21	95	5.0	9.0
6	应磊莹	厦门大学电子工程系	8	6	2.0	2.0
7	张江勇	厦门大学电子工程系	7	12	2.0	3.0
8	余健	厦门大学物理系	3	9	2.0	3.0