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摘要:
通过采用无源抑制方法对雪崩光电二极管的弱光探测技术进行了研究,分析了工作在盖革模式下的InGaAs APD的特性.利用APD两端的偏置电压VB在其雪崩后趋于稳定的特性,确定了其雪崩暗击穿电压,并且在水冷温控系统中,测得了APD雪崩暗击穿电压与温度的关系.结果表明,APD的雪崩暗击穿电压随着温度的上升而增大,光子群(弱光)到达时,APD探测到的在某一幅值处的脉冲数明显增加,其脉冲幅度也将增大.
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文献信息
篇名 基于雪崩光电二极管的弱光探测技术研究
来源期刊 光学与光电技术 学科 工学
关键词 弱光探测 无源抑制 雪崩光电二极管 暗击穿电压
年,卷(期) 2014,(4) 所属期刊栏目 光电测量
研究方向 页码范围 56-60
页数 分类号 TN247
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈晴 重庆大学光电工程学院 24 113 7.0 10.0
2 邹建 重庆大学光电工程学院 47 835 13.0 28.0
3 于文林 重庆大学光电工程学院 2 9 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
弱光探测
无源抑制
雪崩光电二极管
暗击穿电压
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光学与光电技术
双月刊
1672-3392
42-1696/O3
大16开
武汉市阳光大道717号
38-335
2003
chi
出版文献量(篇)
2142
总下载数(次)
3
总被引数(次)
9791
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