理想SOMOS的电容特性

• 作者: 姚佳飞 李曼 邹杨 郭宇锋
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 三维集成 SOMOS 电容-电压特性 表征
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 822-825
• 页数: 4页
• 分类号: TN301|TN492
• 字数: 2181字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.05.005

摘要

三维集成是当前集成电路技术研究的热点之一，就三维集成的基本结构---SOMOS结构的低频和高频电容-电压特性进行了研究，建立了解析模型，并利用二维半导体器件仿真软件SILVACO对模型进行了验证，二者吻合良好。而后借助该模型，对不同的偏置条件下的低频和高频电容-电压特性的物理机理进行了探讨，证实了通过电容-电压特性法对三维堆叠结构进行无损表征的可行性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭宇锋		59	281	8.0	14.0
3	姚佳飞		4	16	2.0	4.0
5	李曼		8	9	2.0	2.0
13	邹杨		1	2	1.0	1.0