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摘要:
采用平面波超软赝势密度泛函理论计算方法研究了p型Cu掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的电子结构,在此基础上分析了其电输运性能.计算结果表明, Cu掺杂ZnO氧化物具有0.6 eV的直接带隙,且为p型半导体,在导带和价带中都出现了由Cu电子能级形成的能带,体系费米能级附近的能带主要由Cu p态、Cu d态和Op态电子构成,且他们之间存在着强相互作用.电输运性能分析结果表明,Cu掺杂的ZnO氧化物价带中的载流子有效质量较大,导带中的载流子有效质量较小;其载流子输运主要由Cu p态、Cu d态、Op态电子完成,且需要载流子(空穴和电子)跃迁的能隙宽度较未掺杂的ZnO氧化物减小.
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文献信息
篇名 Cu掺杂对ZnO氧化物电子结构与电输运性能的影响
来源期刊 量子电子学报 学科 工学
关键词 材料 ZnO氧化物 Cu掺杂 电子结构 电输运性能
年,卷(期) 2014,(3) 所属期刊栏目 半导体光电
研究方向 页码范围 372-378
页数 分类号 O481|TN377
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-5461.2014.03.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张久兴 北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室 226 2057 21.0 35.0
2 张飞鹏 河南城建学院数理系 22 70 5.0 7.0
6 韦金明 广西民族师范学院物理与电子工程系 7 14 2.0 3.0
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