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Cu掺杂对ZnO氧化物电子结构与电输运性能的影响
Cu掺杂对ZnO氧化物电子结构与电输运性能的影响
作者:
张久兴
张飞鹏
韦金明
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
材料
ZnO氧化物
Cu掺杂
电子结构
电输运性能
摘要:
采用平面波超软赝势密度泛函理论计算方法研究了p型Cu掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的电子结构,在此基础上分析了其电输运性能.计算结果表明, Cu掺杂ZnO氧化物具有0.6 eV的直接带隙,且为p型半导体,在导带和价带中都出现了由Cu电子能级形成的能带,体系费米能级附近的能带主要由Cu p态、Cu d态和Op态电子构成,且他们之间存在着强相互作用.电输运性能分析结果表明,Cu掺杂的ZnO氧化物价带中的载流子有效质量较大,导带中的载流子有效质量较小;其载流子输运主要由Cu p态、Cu d态、Op态电子完成,且需要载流子(空穴和电子)跃迁的能隙宽度较未掺杂的ZnO氧化物减小.
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文献信息
篇名
Cu掺杂对ZnO氧化物电子结构与电输运性能的影响
来源期刊
量子电子学报
学科
工学
关键词
材料
ZnO氧化物
Cu掺杂
电子结构
电输运性能
年,卷(期)
2014,(3)
所属期刊栏目
半导体光电
研究方向
页码范围
372-378
页数
分类号
O481|TN377
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1007-5461.2014.03.019
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张久兴
北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室
226
2057
21.0
35.0
2
张飞鹏
河南城建学院数理系
22
70
5.0
7.0
6
韦金明
广西民族师范学院物理与电子工程系
7
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3.0
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节点文献
材料
ZnO氧化物
Cu掺杂
电子结构
电输运性能
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
量子电子学报
主办单位:
中国光学学会基础光学专业委员会
中国科学院合肥物质科学研究院
出版周期:
双月刊
ISSN:
1007-5461
CN:
34-1163/TN
开本:
大16开
出版地:
安徽省合肥市1125邮政信箱
邮发代号:
26-89
创刊时间:
1984
语种:
chi
出版文献量(篇)
2856
总下载数(次)
6
总被引数(次)
17822
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