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A PMOS multipled LVTSCR device for ESD protection with a higher holding voltage
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | A PMOS multipled LVTSCR device for ESD protection with a higher holding voltage | ||
| 来源期刊 | 太赫兹科学与电子信息学报 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | |||
| 年，卷（期） | 2014,（2） | 所属期刊栏目 | 微电子、微系统与物理电子学 |
| 研究方向 | 页码范围 | 315-319 | |
| 页数 | 5页 | 分类号 | TN248.6 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | 10.11805/TKYDA201402.0315 | ||
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太赫兹科学与电子信息学报
主办单位：
中国工程物理研究院电子工程研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
2095-4980
CN：
51-1746/TN
开本：
大16开
出版地：
四川绵阳919信箱532分箱
邮发代号：
62-241
创刊时间：
2003
语种：
chi
出版文献量（篇）
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