S iC／S iO 2复合材料的制备及介电性能研究

• 作者: 刘海涛 吕珺 徐光青 王苏敏 祖立成 郑治祥
• 来源期刊: 合肥工业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 复合材料 SiC/SiO2 包覆 介电常数 介电损耗
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 38-41,86
• 页数: 5页
• 分类号: TB332
• 字数: 3023字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-5060.2014.01.009

摘要

文章采用介电常数低的纳米SiO2粉体与SiC微粉通过机械球磨的方式进行混合，制得SiO2包覆SiC的复合粉体，经干压成型，在流动的高纯氩气保护下，常压烧结出结构均匀、介电性能良好的SiC/SiO2复合材料。通过EDS、XRD、SEM等手段进行表征，分析了原料配比、烧结温度、密度及显微结构等对材料介电性能的影响。结果表明：烧结温度低于1000℃时，随着温度升高，材料的烧结密度降低，介电常数降低；温度高于1000℃时，材料的密度和介电常数随温度升高而增加，介电损耗则随温度升高一直呈递减趋势；当烧结温度为1100℃时，SiC与SiO2质量比为2∶1的试样获得了烧结密度为1.77 g/cm3、介电常数为5.40和介电损耗为0.055的较好性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐光青	合肥工业大学材料科学与工程学院	54	383	10.0	16.0
2	郑治祥	合肥工业大学材料科学与工程学院	157	2008	24.0	36.0
3	吕珺	合肥工业大学材料科学与工程学院	55	567	13.0	21.0
4	刘海涛	合肥工业大学材料科学与工程学院	6	74	3.0	6.0
5	祖立成	合肥工业大学材料科学与工程学院	4	5	2.0	2.0
6	王苏敏	合肥工业大学材料科学与工程学院	4	5	2.0	2.0