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摘要:
为解决金硅面垒半导体探测器存在的漏电流较大、表面不可擦拭、受环境影响严重、使用稳定性较差等缺点,开展性能更优异的Si-PIN核辐射探测器研究具有十分重要的意义,可推动α、n、裂变碎片能谱测量等技术进步。论文介绍了离子注入与平面工艺相结合制作Si-PIN探测器的方法,对灵敏面积为20 mm ×20 mm的Si-PIN探测器主要开展了I-V、C-V电学特性参数测量研究,开展了Si-PIN探测器对226 Ra源α粒子的能量分辨率、能量线性响应研究工作。当反向偏压为2043 pF时,探测器全耗尽时的漏电流为40 nA、结电容为43 pF,对α粒子的最佳能量分辨率为0.68%,探测器线性响应良好。
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文献信息
篇名 Si -PIN 核辐射半导体探测器性能测量研究
来源期刊 核电子学与探测技术 学科 工学
关键词 Si-PIN 核辐射探测器 α粒子 能量分辨率
年,卷(期) 2014,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 414-418
页数 5页 分类号 TL814
字数 2353字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郭子瑜 成都航空职业技术学院航空电子工程系 2 6 2.0 2.0
2 李明富 成都航空职业技术学院航空电子工程系 12 58 3.0 7.0
3 李莉 成都航空职业技术学院航空电子工程系 4 9 2.0 3.0
4 金长江 成都航空职业技术学院航空电子工程系 3 6 2.0 2.0
5 蒋勇 中国工程物理研究院中子物理重点实验室 14 42 4.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
Si-PIN
核辐射探测器
α粒子
能量分辨率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
核电子学与探测技术
双月刊
0258-0934
11-2016/TL
大16开
北京市经济技术开发区宏达南路3号
1981
chi
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5579
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