一种提升4 T-A PS像元量子效率的方法

• 作者: 何杰 唐威 张冰 李栋 李炘
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 互补金属氧化物场效应管 图像传感器 有源像素传感器 钳位光电二极管 满阱能力 量子效率
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 119-121,125
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文

摘要

通过调整钳位光电二极管P＋层掺杂浓度与阈值注入浓度，抑制了4 T-A PS像元传输管亚阈值漏电，提升了像元的满阱能力与量子效率，并应用 TCAD工具进行了仿真验证．结果表明，像元满阱容量可由3500e-提升至7900e-，550 nm入射光条件下量子效率可提升27．8％．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐威		25	90	6.0	8.0
2	何杰		5	6	2.0	2.0
3	李栋		3	6	2.0	2.0
4	李炘		3	6	2.0	2.0
5	张冰		3	6	2.0	2.0