三元Stannide相窄帯隙半导体Na2MgSn的第一性原理计算

• 作者: 余燕 夏庆林 潘留仙 王一夫
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 关键词: Stannide 相 Na2MgSn 第一性原理 电子结构 化学键 弹性性质 光学性质
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: Computational Materials Science and Numerical Modelling
• 页码范围: 1853-1858
• 页数: 6页
• 字数: 1321字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(14)63263-5

摘要

利用基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)研究Na2MgSn的电子结构、化学键、弹性和光学性质。能带结构显示Na2MgSn为间接带隙材料，带隙宽度为0.126 eV；态密度和分态密度计算结果表明，费米能级附近的态密度主要来自Na、Mg和Sn 的p态电子；布居分析表明Na2MgSn中的化学键具有以共价性为主的混合离子-共价特征。计算得到Na2MgSn的晶格参数、体模量、剪切模量和单晶的弹性常数，由此导出弹性模量和泊松比。结果表明，Na2MgSn是力学稳定的，且具有一定的脆性。光学函数表明Na2MgSn是好的介电材料，反射谱在6.24~10.29 eV的能量范围内，Na2MgSn是较好的被覆材料。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏庆林	中南大学物理与电子学院	26	112	7.0	10.0
2	王一夫	湖南师范大学数学与计算机科学学院高性能计算与随机信息处理省部共建教育部重点实验室	21	93	5.0	9.0
3	潘留仙	湖南涉外经济学院电气与信息工程学院	18	45	4.0	6.0
4	余燕	中南大学物理与电子学院	5	3	1.0	1.0