ICP-AES法测定太阳能级硅中磷等12种痕量杂质元素

• 作者: 何丽雯 孙东亚 谢安
• 来源期刊: 分析试验室
• 学科: 化学
• 关键词: 电感耦合等离子体原子发射光谱仪 太阳能级硅 洁净室 杂质元素
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 研究报告与研究简报
• 页码范围: 855-859
• 页数: 5页
• 分类号: O657.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13595/j.cnki.issn1000-0720.2014.0202

摘要

用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定太阳能级硅(SOG-Si)中磷等12种杂质元素.实验发现,在150℃时,用HF和HNO3的混合溶液,试样在PFA烧杯中能较快溶解.在1000级洁净室中,用金属氧化物半导体(MOS)级试剂溶解电子级硅(EG-Si,纯度大于9N)可控制样品空白中各元素的含量均小于1μg/L,并能较好的补偿基体效应.在选定仪器工作条件下,被测元素检出限为5～ 50 ng/mL,回收率在93％～105％,相对标准偏差RSD≤9.8％(n=11).测定结果与电感耦合等离子体原子发射质谱(ICP-MS)法及辉光放电质谱(GDMS)法进行了比对,结果吻合.