S波段六位高精度移相器设计

• 作者: 史江义 杨小峰 郝跃 马佩军
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 数字移相器 高低通 相位精度 级联散射抑制
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 125-129
• 页数: 5页
• 分类号: TP391.72
• 字数: 2519字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2014.02.021

摘要

采用0.25μm GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计了一款六位 S波段数字移相器.移相器采用高低通和全通网络结构,运用了提高相位精度和抑制级联散射的方法.移相器在0°~360°相位范围内以5.625°步进,在2.1~2.7 GHz频率范围内,最小相位均方根误差仅为1.13°.频带范围内插入损耗小于6.3 dB,幅度均衡小于0.4 dB,输入输出反射系数小于-10 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	马佩军	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	34	163	8.0	10.0
3	史江义	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	11	33	4.0	5.0
4	杨小峰	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	11	1.0	1.0