Sr2Si5N8∶Eu2+光物理性能及电子结构的研究

• 作者: 吴一 张志军 沈天宇 申玉芳 邹正光 龙飞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: Sr2Si5N8 第一性原理 直接带隙跃迁
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 1212-1216
• 页数: 5页
• 分类号: O657.61
• 字数: 2746字
• 语种: 中文

摘要

运用碳热还原氮化法(CRN)合成了Sr2Si5N8和Sr2Si5N8∶Eu2+粉体,所得到物相的XRD图谱显示,掺杂Eu2+后比掺杂前峰值向高角度方向偏移.荧光图谱显示掺杂后激发光谱处于紫外和近紫外光范围,发射光谱峰值处于红光处.利用第一性原理基于密度泛函理论的平面波赝势法计算了Sr2Si5N8与Sr2Si5N8∶Eu2+的能带结构与电子态密度,发现Eu2+的加入使得体系拥有了易于将能量以光子形式放出的直接带隙跃迁机制,并且使得整个体系带隙减小,结合实验结果,揭示了该体系材料的微观发光机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴一	桂林理工大学有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室	25	66	4.0	7.0
2	龙飞	桂林理工大学有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室	43	259	7.0	15.0
3	申玉芳	桂林理工大学有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室	11	32	3.0	5.0
5	邹正光	桂林理工大学有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室	46	248	7.0	14.0
8	沈天宇	桂林理工大学有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室	4	2	1.0	1.0