NO 在 Ir（110）表面吸附和解离反应的泛函密度理论

• 作者: 仲志国 何朝政 卢成 周大伟 张帅 李根全 李硕 濮春英 马质璞
• 来源期刊: 吉林大学学报（理学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 NO 解离 N2 生成 Ir(1 10)表面 过渡态
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 物 理
• 页码范围: 1301-1305
• 页数: 5页
• 分类号: O521.2
• 字数: 2707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13413/j.cnki.jdxblxb.2014.06.37

摘要

采用密度泛函理论(DFT)和周期性平板模型,考察 NO 在 Ir(110)表面上的吸附、解离及 N2生成机理。计算结果表明：NO 以 N 端向下在顶位吸附为最稳定的吸附方式,其次是短桥位,空位吸附最不稳定；顶位吸附的 NO 在表面存在2条解离通道：1)直接解离通道；2)由初始态扩散到短桥位,继而发生 N—O 键断裂生成 N 原子和 O 原子,是 NO 在表面解离的主要通道；解离后的 N 原子经联短桥位共吸附态发生 N—N 聚合反应生成 N2,在表面共存的 O 原子促进了 N2的生成,与实验结果相符。