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摘要:
介绍一种超高速脉冲半导体器件,该器件属于穿通型器件,电压可达到5000 V,电流上升率可以达到20 kA/μs以上,根据参数调配,脉冲峰值电流可以达到数百kA.该器件采用多元胞集成结构,采用缓冲层与阳极透明层相结合的扩散技术,使其在压降和开通等方面相对于传统的晶闸管原理开关有更强的优势.并且,该超高速脉冲器件在工艺设计及实现上进行了优化,使生产条件易满足.
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文献信息
篇名 超高速脉冲晶闸管设计及特性
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 脉冲功率技术 晶闸管 穿通型 缓冲层 多元胞集成结构
年,卷(期) 2014,(4) 所属期刊栏目 脉冲功率技术
研究方向 页码范围 73-76
页数 4页 分类号 TN78|TM836
字数 2643字 语种 中文
DOI 10.11884/HPLPB201426.045005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱玉德 1 2 1.0 1.0
2 刘小俐 1 2 1.0 1.0
3 肖彦 2 2 1.0 1.0
4 张桥 2 2 1.0 1.0
5 吴拥军 3 6 2.0 2.0
6 颜家圣 2 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
脉冲功率技术
晶闸管
穿通型
缓冲层
多元胞集成结构
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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