篇名 | A novel LDMOS with a junction field plate and a partial N-buried layer | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | junction field plate partial N-buried layer specific on-resistance breakdown voltage | ||
年,卷(期) | 2014,(12) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 423-427 | |
页数 | 5页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/23/12/127303 |