3D SRAM中的TSV开路故障模型研究

• 作者: 周康 朱文峰 蒋剑锋 赵振宇 邓全
• 来源期刊: 计算机工程与科学
• 学科: 工学
• 关键词: 3D-IC TSV 开路故障 测试 建模
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 高性能计算专辑
• 页码范围: 2331-2338
• 页数: 8页
• 分类号: TP331
• 字数: 4304字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-130X.2014.12.013

摘要

基于3D-IC技术的3D SRAM,由于硅通孔TSV制造工艺尚未成熟,使得TSV容易出现开路故障.而现有的TSV测试方式均需要通过特定的电路来实现,增加了额外的面积开销.通过对2DMemory BIST的研究,针对3D SRAM中的TSV全开路故障进行建模,根据TSV之间的耦合效应进行广泛的模拟研究,分析并验证在读写操作下由于TSV的开路故障对SRAM存储单元里所存值的影响,将TSV开路故障所引起的物理故障映射为SRAM的功能故障.该故障模型可以在不增加额外测试电路的情况下,为有效测试和解决这种TSV开路故障提供基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓全	国防科学技术大学计算机学院	3	12	2.0	3.0
2	赵振宇	国防科学技术大学计算机学院	7	23	3.0	4.0
3	蒋剑锋	国防科学技术大学计算机学院	1	7	1.0	1.0
4	朱文峰	国防科学技术大学计算机学院	1	7	1.0	1.0
5	周康	国防科学技术大学计算机学院	1	7	1.0	1.0