硅通孔电阻开路故障模型研究

• 作者: 尚玉玲 李春泉 豆鑫鑫
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 三维集成电路 硅通孔 电阻开路故障
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 49-53
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.97
• 语种: 中文

摘要

硅通孔(Through Silicon Via)技术是三维集成电路发展的关键技术,因此对于TSV的缺陷故障检测具有十分重要的意义.讨论了TSV的物理模型和延时模型,同时在先进设计系统(ADS)中建立了TSV的电阻开路故障的等效电路模型,提取了RLC参数.然后通过给等效电路模型施加信号源,将开路故障的输出延时与无故障时的输出进行对比,对不同程度故障的TSV的传输延时进行分析,并用最小二乘法拟合出利用延时来判断故障的大小的曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李春泉	桂林电子科技大学机电工程学院	56	411	10.0	18.0
2	尚玉玲	桂林电子科技大学电子工程与自动化学院	45	255	8.0	14.0
3	豆鑫鑫	桂林电子科技大学电子工程与自动化学院	2	8	1.0	2.0