基于电容耦合的TSV故障非接触测试方法研究

• 作者: 尚玉玲 李伟超 谈敏
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: TSV故障 电容耦合 非接触测试电路 延时 时间统计分析
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 页码范围: 106-110
• 页数: 5页
• 分类号: TN407
• 语种: 中文

摘要

硅通孔(Through Silicon Via,TSV)故障严重降低了集成电路的性能和可靠性,因此对TSV的故障检测具有十分重要的意义.首先讨论了TSV的故障模型,并且利用Elmore延时模型分析了TSV开路故障对信号传输延时的影响,其次提出了一种基于电容耦合的TSV非接触测试电路,通过测量信号延时的变化来检测TSV开路故障,最后利用时间统计分析来预测故障电阻的大小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尚玉玲	桂林电子科技大学电子工程与自动化学院	45	255	8.0	14.0
2	谈敏	桂林电子科技大学电子工程与自动化学院	3	5	2.0	2.0
3	李伟超	桂林电子科技大学电子工程与自动化学院	1	2	1.0	1.0