Lg =100 nm T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs on Si substrates with non-planar source/drain regrowth of highly-doped n+-GaN layer by MOCVD

• 来源期刊: 中国物理B（英文版）
• 关键词: GaN HEMTs S/D (S/D) regrowth MOCVD
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 页码范围: 508-512
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1088/1674-1056/23/12/128102