Mechanism of improving forward and reverse blocking voltages in AlGaN/GaN HEMTs by using Schottky drain

• 来源期刊: 中国物理B（英文版）
• 关键词: AlGaN/GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) forward blocking voltage reverse blocking voltage Schottky drain
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 页码范围: 472-476
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1088/1674-1056/23/10/107303