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F4-TCNQ concentration dependence of the current-voltage characteristics in the Au/P3HT:PCBM:F4-TCNQ/n-Si (MPS) Schottky barrier diode
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | F4-TCNQ concentration dependence of the current-voltage characteristics in the Au/P3HT:PCBM:F4-TCNQ/n-Si (MPS) Schottky barrier diode | ||
| 来源期刊 | 中国物理B（英文版） | 学科 | |
| 关键词 | P3HT:PCBM:F4-TCNQ interfacial organic layer F4-TCNQ doping concentration Schottky barrier diodes Ⅰ-V characteristics | ||
| 年，卷（期） | 2014,（11） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 512-522 | |
| 页数 | 11页 | 分类号 | |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | 10.1088/1674-1056/23/11/117306 | ||
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研究主题发展历程
节点文献
P3HT:PCBM:F4-TCNQ interfacial organic layer
F4-TCNQ doping concentration
Schottky barrier diodes
Ⅰ-V characteristics
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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中国物理B(英文版)
主办单位：
中国物理学会和中国科学院物理研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-1056
CN：
11-5639/O4
开本：
出版地：
北京市中关村中国科学院物理研究所内
邮发代号：
创刊时间：
语种：
eng
出版文献量（篇）
17050
总下载数（次）
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