篇名 | Improved crystal quality of GaN film with the in-plane lattice-matched In0.17Al0.83N interlayer grown on sapphire substrate using pulsed metal-organic chemical vapor deposition | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | In0.17Al0.83N interlayer GaN crystal quality dislocation reduction photoluminescence Raman spectra | ||
年,卷(期) | 2014,(6) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 478-483 | |
页数 | 6页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/23/6/067103 |