篇名 | Partial-SOI high voltage laterally double-diffused MOS with a partially buried n+-layer | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | silicon-on-insulator breakdown voltage interface charges electric field | ||
年,卷(期) | 2014,(6) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 468-472 | |
页数 | 5页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/23/6/067101 |