IGBT的最佳开关时间

• 作者: 梁锐 贺伟衡 邓天军
• 来源期刊: 河南科技
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT MOSFET dVce/dt dIc/dt Trr 开关损失
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 机械与自动化
• 页码范围: 96-97
• 页数: 2页
• 分类号: TM930
• 字数: 2011字
• 语种: 中文

摘要

IGBT的门是绝缘结构,和MOSFET一样通过门电压可以控制ON、OFF.开关太快的话,逆恢复电流增大,损失增加;太慢的话,开关上需要时间,损失增加,因此,研讨最佳开关时间,让开关速度(dIc/dt)和电流、开关时间的关系明确化.结果是开关速度定为和负荷电流与逆恢复时间Trr1的比相同的话,很明确得出On时的最小开关损失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓天军		15	5	1.0	1.0
2	梁锐		8	6	1.0	2.0
3	贺伟衡		5	2	1.0	1.0