AsI3电子结构与弹性性质的第一性原理研究

• 作者: 孙霄霄 李敏君 李聪 赵祥敏 陈玉强
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AsI3 各向异性 第一性原理 电子性质
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 879-884
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 字数: 3652字
• 语种: 中文
• DOI: 103969/j.issn.1000-0364.2015.10.027

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,对AsI3的平衡态晶格常数、弹性常数和电子结构进行了研究．研究结果表明,R-3结构的AsI3在零压下是稳定的,优化得到的平衡结构参数与实验值符合的很好． AsI3是脆性材料,具有大的弹性各向异性特征． R-3相AsI3的块体模量、剪切模量和杨氏模量分别为14．2 GPa,9．8 GPa和23．9 GPa,泊松比为0．22,德拜温度是163 K．能带结构计算表明,AsI3是带隙为2．34 eV的间接带隙半导体． AsI3的化学键是弱共价键和离子键的混合．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李敏君	牡丹江师范学院工学院	28	58	5.0	6.0
2	陈玉强	牡丹江师范学院工学院	27	60	5.0	7.0
3	赵祥敏	牡丹江师范学院工学院	19	28	3.0	4.0
4	李聪	牡丹江师范学院理学院	11	13	2.0	3.0
5	孙霄霄	牡丹江师范学院工学院	16	13	2.0	3.0