氧空位对Ga1.5In0.5O3透明导电氧化物性能的影响

• 作者: 赵银女
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ga2(1-x)In2xO3化合物 氧空位 电子结构 第一性原理
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 396-400
• 分类号: TN304.2|O474
• 语种: 中文

摘要

Ga1.5In0.5O3是一种潜在的紫外透明导电材料.用第一性原理计算了含氧空位的Ga1.5In05O3的结构参数、生成焓、能带结构、态密度、光吸收和光反射.氧空位的位置影响Ga1.5In0.5O3化合物的晶格常数和生成焓,含氧空位的Ga1.5In0.5O3是间接带隙半导体,其带隙宽度较本征Ga1.5In0.5O3带隙值变宽.氧空位VO(1)、VO(2)和VO(3)在Ga1.5In0.5O3中分别引入0.237eV、0.239eV和1.384eV的施主杂质能级,在吸收光谱中出现杂质吸收现象.氧空位降低Ga1.5In0.5O3吸收主峰和反射主峰的强度,在近红外区含VO(1)和VO(2)的Ga1.5In0.5O3的吸收系数和反射率较大,含VO(3)的Ga1.5In0.5O3的吸收系数和反射率较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵银女	鲁东大学教务处	8	29	3.0	5.0