硅基光功率监测技术的最新进展

• 作者: 余辉 卫欢 叶乔波 姜建飞 李燕 李霞 江晓清 秦晨 邵海峰
• 来源期刊: 光通信研究
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基光电子器件 光功率监测器 光电探测器
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 硅光子与硅基光电子专题
• 页码范围: 20-29
• 页数: 10页
• 分类号: TN256
• 字数: 4154字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13756/j.gtxyj.2015.06.005

摘要

随着集成光路复杂度的增加,需要在不影响系统正常工作的情况下,在链路内使用光功率监测器对集成光路进行实时监测,有效地进行器件行为分析.文章综述了硅基光功率监测器的最新研究进展.重点阐述了表面态吸收、双光子吸收、锗吸收以及缺陷态吸收机制下的光功率监测方案以及各自的优缺点,最后详细讨论了利用缺陷态吸收机制实现光电转换的巨大优势.