不同周期厚度的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性

• 作者: 卢建娅 李宝吉 杨辉 王乃明 王海啸 甘兴源 郑新和 陈曦
• 来源期刊: 中国科学（物理学 力学 天文学）
• 关键词: GaNAs/InGaAs超晶格 分子束外延 周期厚度 太阳电池 快速退火
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚态物理学
• 页码范围: 69-74
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/SSPMA2014-00367

摘要

本文采用分子束外延(MBE)生长技术,研究了周期厚度对高含N量1 eV GaNAs/InGaAs超晶格的结构品质的影响.高分辨率X射线衍射(HRXRD)与透射电镜(TEM)分析表明:当周期厚度从6 nm(阱层和垒层厚度相同,以下同)增加到20 nm时,超晶格的周期重复性和界面品质变好,然而当继续增加周期厚度至30 nm时,超晶格品质劣化.上述生长现象通过简单模型进行了分析讨论.同时,通过退火优化,实现了周期厚度为20 nm的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池,短路电流密度超过10 mA/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	179	2701	25.0	46.0
2	郑新和	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	10	19	3.0	4.0
3	陈曦	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	248	4761	35.0	57.0
4	王乃明	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	3	0	0.0	0.0
5	甘兴源	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	3	0	0.0	0.0
6	王海啸	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	3	0	0.0	0.0
7	李宝吉	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	2	0	0.0	0.0
8	卢建娅	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	1	0	0.0	0.0