涂层导体外延MgO层的织构与表面形貌探究

• 作者: 刘志勇 宁纪林 白传易 范峰 赵苏串 邱文彬 郭艳群 金晓燕 鲁玉明
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 缓冲层 涂层导体 MgO
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 335-340
• 页数: 6页
• 语种: 中文

摘要

采用直流反应磁控溅射技术在IBAD-MgO基底上外延生长MgQ良好的MgO薄膜(面内织构度FWHM＜7°,表面均方根粗糙度RMS＜2nm)能够在较宽的温度区间400℃到500℃间获得.对于温度影响的MgO薄膜生长,我们采用了基于密度泛函的第一性原理进行模拟,得到与实验结果相符合的结论:过高的温度在损害薄膜织构的同时,会造成表面粗糙度的增加.而与之相反的:薄膜厚度由40nm增加到600nm时,薄膜织构虽然优化但会损害薄膜表面.薄膜的岛状生长与Ehrlich-Schwoebel (ES)势垒,是造成表面恶化的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志勇		25	75	3.0	8.0
2	鲁玉明		27	88	4.0	9.0
3	赵苏串		7	46	3.0	6.0
4	白传易		5	0	0.0	0.0
5	邱文彬		3	0	0.0	0.0
6	范峰		9	14	2.0	3.0
7	宁纪林		1	0	0.0	0.0
8	金晓燕		1	0	0.0	0.0
9	郭艳群		6	0	0.0	0.0