烧结温度对BN/Si3 N4透波材料性能和显微结构的影响

• 作者: 张玉军 沈建兴 赵玉军
• 来源期刊: 齐鲁工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: BN/Si3 N4 烧结温度 力学性能 介电性能 显微结构
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2580字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16442/j.cnki.qlgydxxb.2015.04.006

摘要

利用无压烧结技术,制备BN/Si3 N4透波材料；研究了1400℃、1500℃、1600℃和1680℃四个烧结温度对BN/Si3 N4透波材料致密化、弯曲强度、介电性能和显微结构的影响。结果表明：温度升高有利于β-Si3 N4晶相的生成,烧结温度为1600℃时,BN/Si3 N4透波材料中针状β-Si3 N4相和h-BN相并存；随着烧结温度的升高,气孔率单调降低,相对密度单调升高；弯曲强度、断裂韧性、介电常数和介电损耗逐渐增大；当烧结温度为1600℃时,相对密度为74.2%,弯曲强度和断裂韧性分别为281.3 MPa和2.74 MPa/m2,介电常数和介电损耗分别为5.01和0.0102,可以作为航空航天飞行器的候选材料。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉军	山东大学材料科学与工程学院	92	904	17.0	25.0
2	沈建兴	齐鲁工业大学材料科学与工程学院	7	31	2.0	5.0
3	赵玉军	山东大学材料科学与工程学院	2	7	2.0	2.0